专利名称:图形化膜层的方法专利类型:发明专利
发明人:宗登刚,徐爱斌,于涛,于世瑞,孔蔚然申请号:CN201110300215.1申请日:20110928公开号:CN102315100A公开日:20120111
摘要:一种图形化膜层的方法,包括:提供基底,所述基底上形成有膜层;在所述膜层上形成中间层;在所述中间层上形成图形化的深紫外光刻胶层,定义出所述膜层需要去除的区域;以所述图形化的深紫外光刻胶层为掩膜,去除所述中间层没有被所述图形化的深紫外光刻胶层覆盖的部分,形成图形化的中间层;去除所述图形化的深紫外光刻胶层;以所述图形化的中间层为掩膜刻蚀所述膜层;去除所述图形化的中间层。解决现有技术中,当膜层图形的线宽缩小至一定尺寸及更小(小于等于350nm)时,必须用深紫外光刻技术制作图形,而膜层后续的湿法刻蚀又不允许深紫外光刻胶做掩膜的矛盾。
申请人:上海宏力半导造有限公司
地址:201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍:CN
代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司
代理人:骆苏华
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