一种钒掺杂硫化铋纳米线晶体薄膜及其制备方法和应用[发明专利]
来源：华佗健康网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种钒掺杂硫化铋纳米线晶体薄膜及其制备方法和
应用
专利类型：发明专利
发明人：秦冬冬,牛利,耿园园,韩冬雪,陶春兰,段世芳,韦秋钰申请号：CN201910213220.5申请日：20190320公开号：CN109778304A公开日：20190521
摘要：本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，公开了一种钒掺杂硫化铋纳米线晶体薄膜及其制备方法和应用。本发明以FTO为基底，以钒酸铋固体薄膜为前驱体，通过溶液反应制备了钒掺杂的硫化铋纳米线薄膜。这种“固相薄膜前驱体‑溶液反应‑固相薄膜产物”的工艺既有效实现了硫化铋纳米线的钒掺杂，又解决了传统的粉末状硫化铋以光降解为主要应用的局限性，同时克服了纯液相反应体系中硫化铋产物的分离和纯化问题。该方法可为光催化、太阳能电池及其它高性能半导体器件核心部件的开发提供更优性能的半导体材料。本发明在扩展了硫化铋应用范围的同时，简化了传统工艺和相应后处理流程，节约了成本，有效提高了产品质量和纯度。
申请人：广州大学
地址：510006 广东省广州市番禺区广州大学城外环西路230号
国籍：CN
代理机构：广州市华学知识产权代理有限公司
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