在半导体器件中形成铜布线的方法

来源：华佗健康网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN99122345.4 （22）申请日 1999.11.02

（71）申请人现代电子产业株式会社

地址韩国京畿道

（10）申请公布号 CN1270413A （43）申请公布日 2000.10.18

（72）发明人表成奎;金宪度

（74）专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人余朦

（51）Int.CI

H01L21/3205; H01L21/283; H01L21/768;

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

在半导体器件中形成铜布线的方法

（57）摘要

本发明涉及半导体器件中的铜布线。另

外,本发明说明了在半导体器件中形成铜布线的方法,由于通过设定铜淀积设备的最佳淀积工艺条件,并建立用1,1,1,5,5,5－六氟－2,4－戊二酮－3－基铜。·乙烯三甲氧基硅烷(Ⅰ)化合物作铜前体的MOCVD工艺技术,本发明可以在铜淀积时引

起完美的表面吸收反应,所以本发明不仅可以实现铜淀积工艺的重复性而且可以形成优异膜质量的薄铜膜。

法律状态

法律状态公告日

2000-10-18 2002-05-29 2005-06-29 2014-12-24

法律状态信息

公开

实质审查的生效授权专利权的终止

法律状态

公开

实质审查的生效授权专利权的终止

权利要求说明书

在半导体器件中形成铜布线的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

在半导体器件中形成铜布线的方法的说明书内容是....请下载后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文