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CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法

来源：华佗健康网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201710365037.8 （22）申请日 2017.05.22 （71）申请人西安电子科技大学

地址 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

（10）申请公布号 CN107202946A

（43）申请公布日 2017.09.26

（72）发明人刘锦辉;李静月;王泉;;穆彦廷（74）专利代理机构陕西电子工业专利中心

代理人韦全生

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法

（57）摘要

本发明提出了一种CMOS反相器MOS阈值

电压的测量方法，用于解决现有技术无法同时测量已封装CMOS反相器内部NMOS阈值电压和PMOS阈值电压的技术问题，实现步骤为：为CMOS反相器施加直流电压，同时为CMOS反相器施加脉冲信号；双通道示波器同时采集CMOS反相器的输入电压和输出电压；绘制CMOS反相器一个周期的脉冲前沿电压传输曲线和脉冲后沿电压传输曲线；计算脉冲前沿电压传输曲线与脉冲后沿电压传输曲

线在不同输入电压下的电压放大倍数差值，得到差值曲线；获取NMOS的阈值电压V

法律状态

法律状态公告日

2017-09-26 2017-09-26 2017-09-26 2017-10-27 2017-10-27 2019-07-02

法律状态信息

公开公开公开

实质审查的生效实质审查的生效授权

法律状态

公开公开公开

实质审查的生效实质审查的生效授权

权利要求说明书

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