一种二维非晶氧化物半导体与薄膜晶体管及其制备方法[发明专利]

来源：华佗健康网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种二维非晶氧化物半导体与薄膜晶体管及其制备

方法

专利类型：发明专利

发明人：吕建国,岳士录,陆波静,叶志镇申请号：CN201810670232.6申请日：20180626公开号：CN110459601A公开日：20191115

摘要：本发明公开了一种二维非晶氧化物半导体与薄膜晶体管及其制备方法，所述的二维非晶氧化物半导体厚度为1.0~3.1 nm，室温禁带宽度3.86~5.12 eV，具有明显的量子约束效应，同时表现出二维特性和非晶态结构。在二维非晶氧化物半导体中，金属元素满足其离子具有(n‑1)dns（n为主量子数，且n≥4）球形电子结构。本发明还提供了几种典型二维非晶氧化物半导体薄膜与薄膜晶体管的制备方法，所制备的二维非晶氧化物薄膜晶体管开关电流比大于10，场效应迁移率达到100cm/Vs，性能优异，可在信息电子领域获得广泛应用。

申请人：浙江大学

地址：310058浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

国籍：CN

代理机构：杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：梁群兰

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