(12)发明专利说明书
(21)申请号 CN200480042132.5 (22)申请日 2004.02.25
(71)申请人 S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
地址 法国贝尔南
(10)申请公布号 CN1922732B (43)申请公布日 2010.06.09
(72)发明人 弗雷德里克·迪蓬特;兰·凯雷富克 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 杨生平
(51)Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
()发明名称
光电检测装置
(57)摘要
制造光电检测装置的方法,其特征在
于包括下列步骤:(a)提供包括由选自半导体材料的材料制成的光敏层(1)的第一晶片(I)以及包括含有电子部件的电路层(2)的第二晶片(II),其中光敏层(1)和电路层(2)中的一层被场隔离层(3)覆盖;(b)将第一晶片(I)与第二晶片(II)相接合,以形成依次包括电路层(2)、场隔离层(3)和光敏层(1)的结构;(c)形成导电通孔(40),以将光敏层(1)电连接到电路层(2)的一些电子部件的输入端。 法律状态
法律状态公告日
2007-02-28 2007-02-28 2007-04-25 2007-04-25 2010-06-09 2010-06-09 公开 公开
法律状态信息
公开 公开
法律状态
实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权
专利权人的姓名或者名称、地实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权
专利权人的姓名或者名称、地2020-06-16
址的变更
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