一种SnSe基热电材料取向多晶的制备方法
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（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201810090519.1 （22）申请日 2018.01.30
（71）申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
地址 315201 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
（10）申请公布号 CN110098310A
（43）申请公布日 2019.08.06
（72）发明人 梁少军;徐静涛;蒋俊;刘永福;乐松;江浩川 （74）专利代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司
代理人 陈英俊
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种SnSe基热电材料取向多晶的制备方法
（57）摘要
本发明公开了一种SnSe基热电材料取向
多晶的制备方法，将熔炼法与多次热压法相结合，首先将配制好的原料熔炼、铸锭，然后将铸锭球磨得到粉体，再将粉体热压得到块体，最后将块体进行多次热压，该方法简单易行，成本低廉。多次热压在塑性变形和重结晶过程中能够增强织构，提高取向性，提高电性能，从而提高SnSe基热电材料的热电优值。
法律状态
法律状态公告日
2019-08-06 2019-08-06 2019-08-30
公开 公开
法律状态信息
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实质审查的生效 实质审查的生效
权利要求说明书
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说明书
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