基于双光电栅极结构的半导体波长探测器及其制备方法[发明专利]
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专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：基于双光电栅极结构的半导体波长探测器及其制备
方法
专利类型：发明专利发明人：万景,邓嘉男
申请号：CN202011110843.9申请日：20201016公开号：CN112382692A公开日：20210219
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于双光电栅极结构的半导体波长探测器及其制备方法。本发明探测器包括：衬底、氧化埋层、源端、漏端、沟道、源端金属接触、漏端金属接触、背栅金属接触、顶部栅极金属接触、上栅极和绝缘栅介质；上栅极使用薄膜材料，且下栅极使用衬底材料，形成两个光电栅极共同控制沟道的耦合结构；两个光电栅极具有不同的掺杂类型和光谱响应。相比于传统波长探测器，本发明探测器结构简单，通过扫描器件的转移曲线即可提取出入射光的波长，不需后续复杂的放大及处理电路；上栅极薄膜材料，提高了器件的波长探测范围；在极微弱的光强下，器件的光电响应度非常高，减小了波长探测误差；制备工艺简单减少了生产成本。
申请人：复旦大学
地址：200433 上海市杨浦区邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
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