基于功函数的晶体管阈值电压调节方法
来源：华佗健康网
（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201910428716.4 （22）申请日 2019.05.22 （71）申请人 英特尔公司
地址 美国加利福尼亚
（10）申请公布号 CN110634941A
（43）申请公布日 2019.12.31
（72）发明人 H·W·田;M·拉多萨夫列维奇;S·达斯古普塔;P·菲舍尔;W·哈菲兹 （74）专利代理机构 永新专利商标代理有限公司
代理人 邬少俊
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
基于功函数的晶体管阈值电压调节方法
（57）摘要
公开了一种基于功函数的晶体管阈值电压
调节方法和半导体器件。所述半导体器件包括衬底、衬底上的外延层、外延层的顶部上的半导体中间层、半导体中间层上方的栅极导体、位于栅极导体的底部和侧面上且与半导体中间层的顶表面接触的栅极绝缘体、延伸到外延层中的源极区以及延伸到外延层中的漏极区。所述半导体器件还包括半导体中间层上的在源极区与栅极导体之间的第一极化层和半导体中间层上的在漏极区与
栅极导体之间的第二极化层。
法律状态
法律状态公告日
2019-12-31
公开
法律状态信息
公开
法律状态
权利要求说明书
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说明书
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