一种铜铟镓硒薄膜太阳电池[实用新型专利]

来源：华佗健康网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种铜铟镓硒薄膜太阳电池专利类型：实用新型专利

发明人：申绪男,赵岳,王赫,杨亦桐,邓朝文,赵彦民,乔在祥申请号：CN2013205171.6申请日：20131231公开号：CN203721739U公开日：20140716

摘要：本实用新型涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳电池，自下至上依次包括：衬底、背电极、铜铟镓硒吸收层、缓冲层、i-ZnO层、透明窗口层、减反射层和栅线电极，其特点是：衬底位于背电极一面、背电极两面、铜铟镓硒吸收层与背电极接触面的粗糙面相同，铜铟镓硒吸收层另一面均方根粗糙度＜20nm，铜铟镓硒吸收层的最厚厚度≤1μm。本实用新型在粗糙面背电极上制成≤1μm厚铜铟镓硒薄膜，铜铟镓硒薄膜另一面均方根粗糙度＜20nm，增加了光在吸收层中所经过的有效光程，在不损失太阳光的利用率的基础上，大幅较少了稀有金属资源的利用，既实现了对太阳光的有效利用，又大幅降低电池的生产成本，具有极其广泛的应用前景。

申请人：中国电子科技集团公司第十八研究所

地址：300384 天津市西青区海泰工业园华科七路6号

国籍：CN

代理机构：天津市鼎和专利商标代理有限公司

代理人：李凤

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