硅穿孔结构及其形成方法
来源：华佗健康网
（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201110105754.X （22）申请日 2011.04.27
（71）申请人 联华电子股份有限公司
地址 中国台湾新竹科学工业园区
（10）申请公布号 CN102760710A
（43）申请公布日 2012.10.31
（72）发明人 郭建利;林佳芳
（74）专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
代理人 彭久云
（51）Int.CI
H01L23/48; H01L21/768; H01L21/60;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
硅穿孔结构及其形成方法
（57）摘要
本发明公开一种硅穿孔结构及其形成方
法，该硅穿孔结构包括连通晶片的第一面与第二面的穿孔洞、填满穿孔洞的导电层、直接接触并围绕导电层的穿孔洞介电环、直接接触并围绕穿孔洞介电环的第一导电环、以及直接接触并围绕第一导电环又为晶片所围绕的第一介电环。
法律状态
法律状态公告日
2012-10-31 2013-12-04 2016-02-10
公开
实质审查的生效 授权
法律状态信息
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实质审查的生效 授权
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说明书
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