存储器的冗余替代方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201110436855.5 （22）申请日 2011.12.22

（71）申请人 上海宏力半导体制造有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

（10）申请公布号 CN102522108A

（43）申请公布日 2012.06.27

（72）发明人 杨光军

（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司

代理人 骆苏华

（51）Int.CI

G11C7/06; G11C29/24;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

存储器的冗余替代方法

（57）摘要

一种存储器的冗余替代方法。所述方法包

括：设置编程或擦除的基准工作电压，对存储器的工作单元进行编程或擦除操作；施加预设的读取工作电压，并通过检测工作单元的数据读取电流以确定数据读取失败的工作单元；使用冗余单元对数据读取失败的工作单元进行同址替代；重新检测各工作单元的数据读取是否失败；在未有

数据读取失败的工作单元时，调节编程或擦除电压使其小于基准工作电压，并且在各工作单元的数据读取未有失败时，将调节后的编程或擦除电压作为所述存储器进行编程或擦除操作的工作电压。本发明利用存储器中的冗余单元将工作单元替换，使得其所需的编程或擦除工作电压降低，从而有效地降低了存储器在进行编程或擦除操作时的功耗。

法律状态

法律状态公告日2012-06-27 2013-12-18 2014-04-16 2016-04-06

法律状态信息

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 授权

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公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 授权

权利要求说明书

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说明书

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