专利名称：具有铝配线的半导体器件专利类型：发明专利发明人：戴韫青,颜晓艳申请号：CN200410015921.1申请日：20040117公开号：CN11870A公开日：20050720
摘要：本发明有关一种具有铝配线的半导体器件，其衬底上具有层间膜，层间膜具有若干接触孔，层间膜上形成铝配线，铝配线上涂覆具有一定形状的光刻胶，铝配线上对应上述接触孔处形成有1－5μm狭缝。因为具有上述狭缝设置，在进行套刻精度测量工艺中，测量出来的波形稳定，解决了误测定的问题。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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