专利名称：生长在LiGaO衬底上的非极性GaN薄膜专利类型：实用新型专利发明人：李国强,杨慧
申请号：CN201220069821.7申请日：20120228公开号：CN2024605U公开日：20120926
摘要：本实用新型公开了生长在LiGaO衬底上的非极性GaN薄膜，包括生长在LiGaO衬底上的非极性m面GaN缓冲层及生长在非极性m面GaN缓冲层上的非极性m面GaN层；所述非极性m面GaN缓冲层是在衬底温度为220-350℃时生长的GaN膜层；所述非极性m面GaN层是在衬底温度为600-750℃时生长的GaN膜层。与现有技术相比，本实用新型具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的非极性GaN薄膜缺陷密度低、结晶质量好。
申请人：华南理工大学
地址：5101 广东省广州市天河区五山路381号
国籍：CN
代理机构：广州市华学知识产权代理有限公司
代理人：杨晓松
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