一种与Si

来源：华佗健康网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种与Si‑CMOS工艺兼容的AlGaN/GaN异质结

HEMT器件及其制作方法

专利类型：发明专利发明人：王洪,周泉斌,李祈昕申请号：CN201711169060.6申请日：20171121公开号：CN107946358A公开日：20180420

摘要：本发明公开了一种与Si‑CMOS工艺兼容的AlGaN/GaN异质结HEMT器件及制作方法。该器件包括：AlGaN/GaN异质结外延层、钝化层、栅介质层、无金栅电极、无金源漏电极。所述AlGaN/GaN异质结外延层从下往上依次包括衬底、氮化物成核层、氮化物缓冲层、GaN沟道层、AlGaN本征势垒层和AlGaN重掺杂层，AlGaN重掺杂层通过电离施主产生电荷以补偿半导体的表面受主能级从而抑制电流崩塌，同时经低温退火与电极形成欧姆接触，所述无金电极避免Au对Si‑CMOS工艺线的污染。本发明通过在AlGaN/GaN异质结中采用双层AlGaN层，结合无金电极工艺和低温欧姆工艺，可以有效抑制HEMT器件的电流崩塌，提高器件性能，同时降低工艺温度、简化工艺流程，解决了AlGaN/GaN异质结HEMT与Si‑CMOS工艺兼容的技术瓶颈，有助于降低AlGaN/GaN异质结HEMT的制造成本。

申请人：华南理工大学

地址：511458 广东省广州市南沙区环市大道南路25号华工大广州产研院

国籍：CN

代理机构：广州粤高专利商标代理有限公司

代理人：何淑珍

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