超级结器件的终端保护结构及其制造方法[发明专利]
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专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：超级结器件的终端保护结构及其制造方法专利类型：发明专利发明人：肖胜安,王飞,刘艳平申请号：CN201010141072.X申请日：20100406公开号：CN102214689A公开日：20111012
摘要：本发明公开了一种超级结器件的终端保护结构，超级结器件的中间区域为电流流动区，终端保护结构环绕于电流流动区的外周，由内往外依次排列着至少一P型环、多个沟槽环、以及一沟道截止环。在各所述沟槽环中填充有P型硅，形成P型薄层和N型薄层交替式结构；所述P型环形成于和最外侧电流流动区沟槽相邻的N型硅外延层上部，覆盖至少一个所述沟槽环；沟道截止环形成于最外侧沟槽环外侧的N型硅外延层上部；一终端介质层覆盖所述P型环以及各所述沟槽环；多个场板，形成于终端介质层上部。本发明还公开了超级结器件的终端保护结构的制造方法。本发明能够在不为终端保护结构增加工艺的条件下提高超级结器件的耐压特性和可靠性。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东新区川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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