专利名称：集成电容专利类型：发明专利发明人：陈晞白,李东兴申请号：CN201410767297.4申请日：20141212公开号：CN105280607A公开日：20160127
摘要：本发明提供一种集成电容，包含：半导体衬底，包含沟槽隔离区域；第一层间电介质层，覆盖沟槽隔离区域；第一电极板，包含第一层间电介质层中的至少第一接触层，其中接触层直接位于沟槽隔离区域上；第二电极板，位于第一层间电介质层；以及电容电介质结构，位于第一电极板与第二电极板之间。通过上述方案，可以在保持电容水平的基础上有效地减少占用芯片空间，且可以不需要额外的光掩膜。
申请人：联发科技股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号
国籍：CN
代理机构：北京万慧达知识产权代理有限公司
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