第三部分实验四

电子设计自动化报告

实验课名称：第三部分微电子版图设计

实验名称： 实验四并联PMOS 版图设计 专业名称： 电子科学与技术 班 级： 2012320502 学 号： 201232050211 学生姓名： 陈云云 教师姓名：

2015年6月18日

一、 实验名称： 并联PMOS 版图设计 二、实验目的： 2.1熟悉L-EDIT 的版图设计； 三、实验要求： 3.1采用LEDIT 画两个PMOS 并联版图； 四、实验报告要求： 4.1单个器件的结构参照实验三；要求通过DRC 检查。 4.2给出版图图片和截面图片，并在版图上标注各层各图形的含义。 五、实验条件： L-EDIT 软件 六、实验步骤： （1） 打开L-Edit程序：双击图标，执行ledit.exe程序。 （2） 另存新文件：选择File---Save AS命令，打开“另存为”对话框，在“保存在”下拉列表框中选择存储目录，在“文件名”文本框中输入新文件的名称，例如：nmos为.tdb。 （3） 取代设定：选择File---Replace Setup命令，将出现一个对话框，单击From file下拉列表框右侧的Browser按钮，选择所需要的.tdb文件，单击OK按钮，就可以将该文件的设定选择性应用在目前编辑的文件中。 （4） 编辑组件：L-Edit编辑方式是以组件(Cell)为单位而不是以文件(File)为单位的，每个文件可以有多个Cell，而每个Cell可以表示一种电路布局或说明，每次打开新文件时也自动打开一个Cell并将之命名为Cell0，在编辑画面中的十字代表坐标原点。 （5） 环境设定：绘制布局图，必须要有确定的大小，因此绘图前先要确认或设定坐标与实际长度的关系。选择Setup命令，打开Design对话框，该对话框共有六页，分别是：Technology(工艺参数)、Grid(网格参数Selection(选择参数)、Drawing(绘图参数)、Curves(曲线参数)、Xref files(外部交叉引用参数)。在其中的Technology选项卡中出现使用技术的名称、单位与设定，如下图所示，设定1个Lambda为1000个Internal Unit，也设定1个Lambda等于1个Micron。 （6） 选择掩膜图形层：用鼠标在模式栏(Mode Bar)的掩模层选择区(Layer Area)中选择所要处理的层名（层号）。具体操作如下： a.绘制N Well图层：L-Edit编辑环境是预设在P型基板上，故不需要定义出P型基板范围。在P型基板上制作PMOS的第一步流程要先做出N Well区，即需要设计光罩以限定N Well的区域。 b.绘制Active图层：Active图层在流程上的意义是定义NMOS 的范围，Active以外的地方是厚氧化层区(或称为场氧化层) c.绘制P Select图层：设计了Active的布局区域之后，并需加上P Select或N Select图层与Active图层重叠。在PMOS中需要布置的是P型杂质，P Select图层在流程上的意义是定义要布置P型杂质的范围，故需要设计光罩以限定P型杂质的区域。但要注P Select区域要包Active图层，否则设计规则检查会有错误。 d.绘制Poly图层：接下来绘制Poly图层，Poly图层在流程上的意义是定义生长多晶硅(Poly Silicon)，需要设计光罩以限定多晶硅区域。绘制成三个叉指结构。 e.绘制Active Contact图层：PMOS的源极区与漏极区各要接上电极，才能在其上加入偏压，各组件之间的信号传递，也需要靠金属线连接。在金属层制作之前，组件会被沉积上一层绝缘层(氧化层)，为了让金属能接触至扩散区(源极与漏极)，必须在此绝缘层上蚀刻出一个接触孔，此接触孔是为了能使金属层能与扩散区接触。 f.绘制Metal1图层：包围在Active Contact图层外边。 以上是建立了一个PMOS单元，接下来并联单位晶体管： a.两个晶体管的源级或漏极重合即可。 七、仿真结果及分析： （1）并联PMOS版图如下所示： （2）DRC检查错误结果图如下所示： 系统显示零个错误，可知该版图是符合设计规则的。 （3）横截面图所下所示： 八、遇到的问题和体会： 在这次实验过程中，要求我们去做一个PMOS并联图，我参照书上的图做出了此图。在作图过程中，我首先会计算一下，每一步的工艺大致需要多大的尺寸，然后每做一步，就进行一次DRC检查，即使进行改进，未免以后出错。但也经过很长时间的修改，才完成了此图。这样就可以将尺寸最小化了。这是L-EDIT 版图设计做的最后一个实验，也是电子设计自动化的最后一个实验了。