专利名称:半导体存储器及其控制方法专利类型:发明专利
发明人:藤冈伸也,山田伸一,佐藤光德,大野润申请号:CN03156210.8申请日:20030904公开号:CN14155A公开日:20040414
摘要:一种控制半导体存储器的方法,该方法中模式寄存器可以在突发模式中被设定。为在突发模式中设定操作模式,半导体存储器被首先从突发模式,经由断电模式,变换到非突发模式的备用模式。然后,半导体存储器被变换到模式寄存器设定模式,以与在非突发模式中使用的相同的预定序列输入命令时,设定模式寄存器。
申请人:富士通株式会社
地址:日本神奈川县
国籍:JP
代理机构:北京东方亿思专利代理有限责任公司
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