专利名称：半导体存储器及其控制方法专利类型：发明专利
发明人：藤冈伸也,山田伸一,佐藤光德,大野润申请号：CN03156210.8申请日：20030904公开号：CN14155A公开日：20040414
摘要：一种控制半导体存储器的方法，该方法中模式寄存器可以在突发模式中被设定。为在突发模式中设定操作模式，半导体存储器被首先从突发模式，经由断电模式，变换到非突发模式的备用模式。然后，半导体存储器被变换到模式寄存器设定模式，以与在非突发模式中使用的相同的预定序列输入命令时，设定模式寄存器。
申请人：富士通株式会社
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京东方亿思专利代理有限责任公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容
Copyright © 2019- huatuo0.com 版权所有 湘ICP备2023021991号-1
违法及侵权请联系：TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com
本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务