专利名称：助熔的底层填料组合物专利类型：发明专利
发明人：M·M·康纳斯基,J·P·克鲁格申请号：CN01807139.2申请日：20011213公开号：CN1427753A公开日：20030702
摘要：本发明涉及用于助熔金属表面的助熔的底层填料组合物的制备，用于提供电连接和熔封半导体器件[如芯片尺寸或芯片刻度组件(CSP)、球栅阵列接脚(BGA)、焊盘阵列接脚(LGA)、倒装片式组件(FC)等，其中上述各种均具有半导体芯片如大规模集成(LSI)]间的空间或熔封半导体芯片本身和分别与器件或芯片电连接的电路板间的空间。本发明的助熔的底层填料组合物在与所使用的焊剂接近相同的温度下开始固化，从而确定电连接熔体。
申请人：亨克尔洛克泰特公司
地址：美国康涅狄格州
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：陈季壮
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