您的当前位置：首页一种高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO)纳米晶体材料及其合成方法和应

一种高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO)纳米晶体材料及其合成方法和应

来源：华佗健康网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO)纳米晶体材

料及其合成方法和应用

专利类型：发明专利发明人：张研

申请号：CN201811502910.4申请日：20181210公开号：CN109704401A公开日：20190503

摘要：本发明公开了一种高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO)纳米晶体材料及其合成方法和应用，该方法是以八水氧氯化锆作为锆前驱体，以乙醇作为溶剂，在水热条件下密闭反应釜内，使高温高压产生的水蒸汽与锆源接触，生成单斜二氧化锆(ZrO)纳米晶体材料；通过水热温度控制，实现水蒸汽蒸发量控制，进而对锆源水解速率有效控制，而且能够有效避免快速水解反应而形成无定形二氧化锆(ZrO)沉淀物；本发明也不采用任何添加剂或掺杂物，保证单斜二氧化锆(ZrO)纳米晶体材料的纯度；不需要后续高温焙烧处理，避免单斜二氧化锆(ZrO)晶粒的长大和团聚，获得超细均匀的单斜二氧化锆(ZrO)纳米晶体材料。

申请人：长安大学

地址：7100 陕西省西安市雁塔区南二环中段33号

国籍：CN

代理机构：西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：曹宇飞

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文