使用了氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法[发明专利]

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专利名称：使用了氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法专利类型：发明专利

发明人：矢野公规,川岛浩和,井上一吉,笘井重和,笠见雅司申请号：CN201310094922.9申请日：20081210公开号：CN103258857A公开日：20130821

摘要：本发明提供一种场效应晶体管，其在基板上至少具有半导体层、半导体层的保护层、源电极、漏电极、栅绝缘膜和栅电极，源电极和漏电极借助半导体层相连，在栅电极和半导体层之间具有栅绝缘膜，在半导体层的至少1面侧具有保护层，半导体层由以下述(1)～(3)的原子比含有In(铟)元素、Zn(锌)元素及Ga(镓)元素的复合氧化物构成，In/(In+Zn)＝0.2～0.8(1)In/(In+Ga)＝0.59～0.99(2)Zn/(Ga+Zn)＝0.29～0.99(3)。

申请人：出光兴产株式会社

地址：日本国东京都

国籍：JP

代理机构：中科专利商标代理有限责任公司

代理人：张玉玲

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