一种Ni掺杂的BiVO薄膜光电阳极、其制备方法与用途[发明专利]
来源：华佗健康网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种Ni掺杂的BiVO薄膜光电阳极、其制备方法与
用途
专利类型：发明专利
发明人：邹吉军,孔德超,潘伦,张香文,王莅申请号：CN201810402955.8申请日：20180428公开号：CN108511198A公开日：20180907
摘要：本发明公开了一种Ni掺杂的BiVO薄膜光电阳极，在电极本体上有一层Ni掺杂的BiVO纳米颗粒构成的薄膜。本发明还公开了所述Ni掺杂的BiVO薄膜光电阳极的制备方法及用于光电化学分解水的用途。
申请人：天津大学
地址：300350 天津市津南区海河教育园雅观路135号
国籍：CN
代理机构：北京市领专知识产权代理有限公司
代理人：杨兵
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容