专利名称：制造FinFET器件的方法专利类型：发明专利
发明人：巫凯雄,曾博瑞,简珮珊,曾伟雄申请号：CN201210580950.7申请日：20121227公开号：CN103681347A公开日：20140326
摘要：本方面公开了一种制造鳍式场效应晶体管的方法。制造FinFET器件，首先要接收FinFET前体。该前体包括衬底和衬底上的鳍式结构。沿着前体中的鳍式结构的侧壁可形成侧壁间隔件。对鳍式结构的一部分开槽，以形成将侧壁间隔件作为鳍上部的开槽沟槽。半导体结构外延生长在开槽沟槽中且在开槽沟槽的上方持续生长，以形成外延结构。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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