一种碳化硅电阻法生长晶体的退火装置及方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种碳化硅电阻法生长晶体的退火装置及方法专利类型：发明专利

发明人：张岩,赵然,董伟,付吉国,周卫东,曾蕾申请号：CN201910123613.7申请日：20190218公开号：CN109825882A公开日：20190531

摘要：一种碳化硅电阻法生长晶体的退火装置，包括保温罩、上加热板、中加热板和下加热板，保温罩内侧底部安置有固定台，且固定台下方搭架上安置有下加热板，固定台上方安装有坩埚托，坩埚托上方安置有坩埚，坩埚顶部安置有籽晶槽，籽晶槽两侧边缘的托架卡在第二凹槽内，籽晶槽外侧安置有中加热板，且中加热板上方有上加热板。退火方法利用上中下三个加热板来保证退火过程中温场的均衡，并且，上加热板和中加热板均设置为左右分离式结构，上/中加热板俯视均呈“()”的两部分，上加热板中间大孔用于引晶装置的放入。

申请人：国宏中晶集团有限公司

地址：1000 北京市海淀区长春桥路11号3号楼801

国籍：CN

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