您的当前位置：首页单晶铜箔及其制备方法

单晶铜箔及其制备方法

来源：华佗健康网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201910598448.0 （22）申请日 2019.07.04

（71）申请人北京石墨烯研究院;北京大学

地址 100095 北京市海淀区苏家坨镇翠湖南路13号院中关村翠湖科技园2号楼

（10）申请公布号 CN110195251A

（43）申请公布日 2019.09.03

（72）发明人刘忠范;彭海琳;李广亮;张金灿;刘晓婷;张月新（74）专利代理机构北京律智知识产权代理有限公司

代理人司丽琦

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

单晶铜箔及其制备方法

（57）摘要

本发明提供单晶铜箔及其制备方法，该方

法包括将铜箔置于氧化性气体氛围中进行预氧化处理，使铜箔表面完全氧化；将表面完全氧化的铜箔置于还原性气体氛围中进行还原处理，得单晶铜箔。所得的单晶铜箔可以直接作为石墨烯生长基底，实现石墨烯的生长，避免了多次操作铜箔引起的褶皱问题，以提高石墨烯性能；也可以专门用于铜箔基底的预处理以大批量制备单晶铜基底，以应用于其他场合。本发明的方法还可实

现快速批量、低成本、大面积的铜箔表面预处理，具有良好的工业化前景。

法律状态

法律状态公告日

2019-09-03 2019-09-03 2019-09-27

法律状态信息

公开公开

实质审查的生效

法律状态

公开公开

实质审查的生效

权利要求说明书

单晶铜箔及其制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

单晶铜箔及其制备方法的说明书内容是....请下载后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文