制备凹陷源漏场效应晶体管的方法[发明专利]
来源：华佗健康网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：制备凹陷源漏场效应晶体管的方法专利类型：发明专利发明人：肖韩,黄如
申请号：CN200710000682.6申请日：20070116公开号：CN101226881A公开日：20080723
摘要：本发明提供了一种凹陷源漏场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路技术(ULSI)领域。该方法引入了外延工艺和采用牺牲层的办法，在衬底中引入两个“L”型的埋氧层结构。采用这种方法，器件工艺参数和物理参数诸如逆向掺杂浓度和深度、结深、凹陷源漏的深度、埋氧层的厚度等参数都能够很好的控制。该方法的可控性非常强，且与现有的工艺兼容，有利于应用到大规模生产中。
申请人：北京大学
地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号
国籍：CN
代理机构：北京君尚知识产权代理事务所
代理人：贾晓玲
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容