离子源室及设备[发明专利]
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专利名称：离子源室及设备专利类型：发明专利发明人：蒋明亮
申请号：CN201910992233.7申请日：20191018公开号：CN112687506A公开日：20210420
摘要：本发明实施例涉及一种离子源室及设备，离子源室包括：相对的第一电极和第二电极；其中，所述离子源室处于工作状态时，所述第一电极的电位高于所述第二电极的电位；具有第一镂空区的第一侧板，所述第一电极位于所述第一镂空区内，所述第一电极与所述第一侧板绝缘。本发明能够提高离子源室的安全性能，降低维护保养成本。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：成丽杰
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