一种源区自对准的低栅电容IGBT功率器件[实用新型专利]

来源：华佗健康网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种源区自对准的低栅电容IGBT功率器件专利类型：实用新型专利发明人：王新

申请号：CN201220473577.0申请日：20120918公开号：CN203071078U公开日：20130717

摘要：一种源区自对准的低栅电容IGBT功率器件，包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层；其特征是，所述硅片上方为热场氧化层，该热场氧化层通过硅片热场氧化形成；所述硅片与热场氧化层之间通过热氧化形成热氧化栅氧层；所述热场氧化层上方淀积有作为栅极导电层的多晶硅层，该多晶硅层上方淀积有二氧化硅层作为多晶硅层的上保护层。本实用新型具有源区自对准、结构简单，制造方便，成本低和产品易保证的诸多优点，本实用新型是将IGBT的制造过程中的厚场氧化保留在硼区外的表面，从而增加了部分栅区的氧化层厚度，因电容是和介质层的厚度成反比，从而使栅电容降低，大大的提高制造成品率，具有很强的经济性和实用性。

申请人：深圳市稳先微电子有限公司

地址：518000 广东省深圳市福田区车公庙天安数码城创新科技广场二期东座1002室

国籍：CN

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