超薄晶态连续有机半导体薄膜及其制备方法和应用[发明专利]
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专利名称：超薄晶态连续有机半导体薄膜及其制备方法和应用专利类型：发明专利
发明人：李荣金,刘璇宇,胡文平申请号：CN202010100313.X申请日：20200218公开号：CN112201754A公开日：20210108
摘要：本发明公开了一种超薄晶态连续有机半导体薄膜及其制备方法和应用，制备方法包括：将10～20μl半导体溶液滴加至第一基液中，静置，得到第二基液，将PTS修饰载体垂直插入第二基液中，再以5～10um/s的速度将PTS修饰载体向上垂直提拉，在PTS修饰载体的表面获得超薄晶态连续有机半导体薄膜，其中，半导体溶液为半导体和有机溶剂的混合物，半导体溶液中半导体的浓度为0.5～1mg/mL，第一基液为四丁基溴化铵和水的混合物，第一基液中四丁基溴化铵的浓度为8～10mg/mL，有机溶剂为甲苯或氯苯。本发明运用较少的有机半导体生成了大面积连续半导体薄膜，可以应用到大面积集成电路的制备。
申请人：天津大学
地址：300072 天津市南开区卫津路92号
国籍：CN
代理机构：天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：李蕊
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