专利名称：一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法专利类型：发明专利
发明人：李诚瞻,刘可安,赵艳黎,周正东,吴佳,杨勇雄,丁荣军申请号：CN201510047816.4申请日：20150130公开号：CN104637801A公开日：20150520
摘要：本发明涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO栅氧化层，然后在500～1000℃，优选700～800℃下，包含Cl的环境中退火该栅氧化层。优选以0.5-2slm的速率通入Cl与惰性气体的混合气体，退火压力为100～1000mbar，保持时间30～180min。所述方法使用Cl退火栅介质SiO层，可以消除SiO栅介质层中的氧空位陷阱电荷，提高SiC MOSFET器件中SiO栅介质层的临界击穿电场和耐压能力。
申请人：株洲南车时代电气股份有限公司
地址：412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号
国籍：CN
代理机构：北京聿宏知识产权代理有限公司
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