专利名称:半导体器件的电极制作方法专利类型:发明专利发明人:殷登平,王世军,姚飞申请号:CN201610885936.6申请日:20161011公开号:CN106328511A公开日:20170111
摘要:本发明公开了一种半导体器件的电极制作方法,包括:在半导体衬底的第一表面上形成具有第一开口的第一层间介质层;在所述第一介质层表面形成具有第二开口的第一抗蚀刻剂掩模,且所述第一开口和所述第二开口连通形成第一层叠开口;在第一抗蚀刻剂掩模上方形成第一导体层,所述第一导体层包括位于第一抗蚀刻剂掩模表面的第一部分,以及位于所述第一层叠开口中的第二部分;以及去除所述第一抗蚀刻剂掩模,所述第一导体层的第一部分与所述第一抗蚀刻剂掩模一同被除去,保留所述第一导体层的第二部分作为第一面电极。
申请人:矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
地址:310012 浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501
国籍:CN
代理机构:北京成创同维知识产权代理有限公司
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