半导体器件的电极制作方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：半导体器件的电极制作方法专利类型：发明专利发明人：殷登平,王世军,姚飞申请号：CN201610885936.6申请日：20161011公开号：CN106328511A公开日：20170111

摘要：本发明公开了一种半导体器件的电极制作方法，包括：在半导体衬底的第一表面上形成具有第一开口的第一层间介质层；在所述第一介质层表面形成具有第二开口的第一抗蚀刻剂掩模，且所述第一开口和所述第二开口连通形成第一层叠开口；在第一抗蚀刻剂掩模上方形成第一导体层，所述第一导体层包括位于第一抗蚀刻剂掩模表面的第一部分，以及位于所述第一层叠开口中的第二部分；以及去除所述第一抗蚀刻剂掩模，所述第一导体层的第一部分与所述第一抗蚀刻剂掩模一同被除去，保留所述第一导体层的第二部分作为第一面电极。

申请人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

地址：310012 浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501

国籍：CN

代理机构：北京成创同维知识产权代理有限公司

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