使用碱性蚀刻剂溶液蚀刻非晶半导体氧化物[发明专利]
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专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：使用碱性蚀刻剂溶液蚀刻非晶半导体氧化物专利类型：发明专利发明人：张建六
申请号：CN200780045098.0申请日：20071120公开号：CN101548367A公开日：20090930
摘要：提供蚀刻方法，其中能对包括镓和锌的至少一种与铟的非晶氧化物半导体膜进行选择性蚀刻。在该蚀刻方法中，使用碱性蚀刻溶液进行该选择性蚀刻。该碱性蚀刻溶液尤其含有特定浓度范围的氨。
申请人：佳能株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王健
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