专利名称:一种类LED结构的太赫兹自振荡源专利类型:发明专利发明人:杨军,李磊,武华锋申请号:CN202011439533.1申请日:20201207公开号:CN112420924A公开日:20210226
摘要:本发明涉及一种类LED结构的太赫兹自振荡源,将碰撞雪崩渡越时间二极管IMPATT的PN结管芯与产生太赫兹信号的谐振腔体进行一体化设计,通过微电子工艺组合在一体,设计必要的恒流源激励端口和输出接口,形成一个类似于发光二极管LED结构的太赫兹自振荡信号源,也可以形成太赫兹频段发射信号阵列,用于主被动探测系统的发射源或泵浦信号。该技术可用于太赫兹目标探测雷达、主被动成像和宽带通信等领域。
申请人:西安电子工程研究所
地址:710100 陕西省西安安区凤栖东路
国籍:CN
代理机构:西北工业大学专利中心
代理人:刘新琼
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