专利名称：一种类LED结构的太赫兹自振荡源专利类型：发明专利发明人：杨军,李磊,武华锋申请号：CN202011439533.1申请日：20201207公开号：CN112420924A公开日：20210226
摘要：本发明涉及一种类LED结构的太赫兹自振荡源,将碰撞雪崩渡越时间二极管IMPATT的PN结管芯与产生太赫兹信号的谐振腔体进行一体化设计，通过微电子工艺组合在一体，设计必要的恒流源激励端口和输出接口，形成一个类似于发光二极管LED结构的太赫兹自振荡信号源，也可以形成太赫兹频段发射信号阵列，用于主被动探测系统的发射源或泵浦信号。该技术可用于太赫兹目标探测雷达、主被动成像和宽带通信等领域。
申请人：西安电子工程研究所
地址：710100 陕西省西安安区凤栖东路
国籍：CN
代理机构：西北工业大学专利中心
代理人：刘新琼
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