专利名称：结晶性层叠结构体、半导体装置专利类型：发明专利
发明人：人罗俊实,织田真也,高塚章夫申请号：CN201510232391.4申请日：20150508公开号：CN105097957A公开日：20151125
摘要：提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗、硅、钛、锆、钒或铌。
申请人：FLOSFIA株式会社
地址：日本京都府京都市西京区御陵大原1番36号京大桂创业大厦北馆
国籍：JP
代理机构：深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司
代理人：温青玲
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