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一种可替换IGBT模块的SiC MOSFET智能功率集成模块[发明专利]

来源：华佗健康网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种可替换IGBT模块的SiC MOSFET智能功率集

成模块

专利类型：发明专利

发明人：任宇,杨旭,田莫帆,王康平,柳龙,曾翔君申请号：CN201510155623.0申请日：20150402公开号：CN104779815A公开日：20150715

摘要：本发明公开了一种可替换IGBT模块的SiC MOSFET智能功率集成模块，包括底板、交流功率端子、输入端子、第一控制端子及第二控制端子，底板上集成有SiC MOSFET功率单元、母线电容、第一驱动电路及第二驱动电路。本发明可以有效的降低驱动回路及功率回路的寄生电感，减少功率回路和驱动回路的振荡，提高半导体开关的工作可靠性和工作效率。

申请人：西安交通大学

地址：710049 陕西省西安市咸宁西路28号

国籍：CN

代理机构：西安通大专利代理有限责任公司

代理人：徐文权

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