专利名称:包括上喷头和下喷头在内的沉积装置专利类型:发明专利
发明人:朴柄善,徐枝延,任智芸,林炫锡,田炳好,姜有善,权赫
镐,朴星津,严太镕,河东协
申请号:CN2018112681.7申请日:20181029公开号:CN109797376A公开日:20190524
摘要:一种沉积装置,包括:上喷头和下喷头,位于处理腔室内,所述上喷头和所述下喷头面向彼此;支撑结构,位于所述上喷头和所述下喷头之间,用于支撑晶圆,所述支撑结构连接到所述下喷头;以及等离子体处理区域,位于由所述支撑结构支撑的晶圆和所述下喷头之间,其中,所述下喷头包括下孔,用于向所述晶圆的方向喷射下部气体,所述上喷头包括上孔,用于向所述晶圆的方向喷射上部气体,以及所述支撑结构包括通孔部,用于将通过所述下孔喷射的下部气体的一部分排放到所述支撑结构和所述上喷头之间的空间中。
申请人:三星电子株式会社
地址:韩国京畿道
国籍:KR
代理机构:中科专利商标代理有限责任公司
代理人:周泉
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