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金属-二氧化硅多层薄膜空心纳米结构阵列及其制备方法[发明专利]

来源：华佗健康网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：金属-二氧化硅多层薄膜空心纳米结构阵列及其制

备方法

专利类型：发明专利

发明人：董培涛,吴学忠,邸荻,陈剑,王浩旭,王朝光,王俊峰申请号：CN201310742702.2申请日：20131230公开号：CN10310A公开日：20140319

摘要：本发明公开了一种金属-二氧化硅多层薄膜空心纳米结构阵列及其制备方法。该金属-二氧化硅多层薄膜空心纳米结构阵列包括一玻璃基底，玻璃基底表面由下至上依次设有二氧化硅薄膜空心纳米结构阵列和一层以上的金属薄膜纳米结构阵列。制备方法包括制备单层有序聚苯乙烯纳米球致密排列、制备单层有序聚苯乙烯纳米颗粒非致密排列、制备金属纳米孔阵列掩模、制备纳米结构阵列模版、制备二氧化硅薄膜空心纳米结构阵列和金属-二氧化硅多层薄膜空心纳米结构阵列等工艺步骤。本发明的纳米结构阵列具有大面积、高密度、加工性好等优点，制备方法成本低廉、效率高、兼容性好，为研究纳米结构阵列的光学性质、磁性能、催化特性等提供了便利。

申请人：中国人民国防科学技术大学

地址：410073 湖南沙市砚瓦池正街47号中国人民国防科学技术大学机电工程与自动化学院

国籍：CN

代理机构：湖南兆弘专利事务所

代理人：赵洪

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