半导体光电器件衬底减薄方法[发明专利]
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专利名称：半导体光电器件衬底减薄方法专利类型：发明专利发明人：李伟,刘素平,马骁宇申请号：CN201910057252.0申请日：20190121公开号：CN109760220A公开日：20190517
摘要：本发明提供一种衬底减薄方法，包括：将衬底(302)置于摆放平台(303)上的衬底模拟图形(305)中；将固定有单面膜的支撑框架(301)与摆放平台(303)嵌套重合，使得衬底(302)粘贴在单面膜上，其中，单面膜的粘性面与衬底(302)的外延层面接触；将粘贴有衬底(302)的支撑框架(301)固定在切削机床的微孔吸盘上；利用切削机床沿衬底(302)的解理边晶向对衬底进行切削，以减薄衬底(302)。该方法具有操作简单、耗材较少、污染少及处理方便等优点，提高器件产品性能和良率，能够同时对多片衬底进行加工，适用于各种异形衬底，加工效率大幅提升，加工的衬底表面具有最小的表面损伤和理想的表面粗糙度，保证器件的性能和芯片成品率。
申请人：中国科学院半导体研究所
地址：100083 北京市海淀区清华东路甲35号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：周天宇
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