CMOS工艺中等离子体损伤WAT方法研究

陈培仓;徐政;李俊

【期刊名称】《电子与封装》 【年(卷),期】2016(016)006

【摘 要】WAT (Wafer Accept Test)即硅圆片接收测试,就是在半导体硅片完成所有的制程工艺后,对硅圆片上的各种测试结构进行电性测试,它是反映产品质量的一种手段,是产品入库前对wafer进行的最后一道质量检验.随着半导体技术的发展,等离子体工艺已广泛应用于集成电路制造中,离子注入、干法刻蚀、干法去胶、UV辐射、薄膜淀积等都可能会引入等离子体损伤,而常规的WAT结构无法监测,可能导致器件的早期失效.设计了新的针对离子损伤的WAT检测结构,主要是缩小了栅端面积,在相同天线比的情况下天线所占面积呈几何级下降,使得评价结构放置在划片区变得可能.

【总页数】5页(P31-35) 【作 者】陈培仓;徐政;李俊

【作者单位】中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035;中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035;中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035 【正文语种】中 文 【中图分类】TN307 【相关文献】

1.电感耦合等离子体质谱法测定土壤样品中六价铬的前处理方法研究 [J], 陈波;胡兰

2.电感耦合等离子体发射光谱法测定铜多金属矿石中金属元素的分析方法研究 [J], 张强

3.亲电子尘埃在等离子体中带电的PIC方法研究 [J], 马征征;徐彬 4.电感耦合等离子体发射光谱法测定钢中微量铝分析方法研究 [J], 沈英姬 5.电感耦合等离子体串联质谱测定植物样品中砷含量的去干扰方法研究 [J], 马晨怡;柴爽爽;曹赵云;李洪艳;张琬悦;徐清宇;张卫星

因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买