一种MEMS压力传感器芯片及制备方法[发明专利]

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专利名称：一种MEMS压力传感器芯片及制备方法专利类型：发明专利发明人：黄贤,王进朝,段飞申请号：CN201810087666.3申请日：20180130公开号：CN110095212A公开日：20190806

摘要：本发明提供的MEMS压力传感器芯片及制备方法，在压敏电阻周围设置多个用于释放应力的凹槽，在应变膜弯曲时可以降低压敏电阻所在区域由于应变膜大挠度变形导致的平行于应变膜的轴向拉伸应力的影响，用以改变应变膜上的应力应变分布，在应变膜承受大变形压力时可提高压敏电阻区域应力与所施加压力的线性度，在保证传感器芯片精确度的同时可以提高压力传感器芯片在压力检测时的线性度，另外，压力传感器机构设计合理，制备过程中减少了不必要的台阶，降低了光刻的难度。

申请人：盾安传感科技有限公司

地址：310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道江陵路88号9幢4楼

国籍：CN

代理机构：北京润川律师事务所

代理人：汪永生

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