一种忆阻器仿真模型[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种忆阻器仿真模型专利类型：发明专利

发明人：蒋旻,段宗胜,陈波,甘朝晖申请号：CN201210100158.7申请日：20120409公开号：CN102623062A公开日：20120801

摘要：本发明涉及一种忆阻器仿真模型。其技术方案是：该模型由比较器(1)、乘法器(2)、积分器(3)、忆阻器等效电阻(4)和窗函数(5)组成。比较器(1)的输入端C1和C2与忆阻器等效电阻(4)的端子A和B对应连接，比较器(1)的输出端Co与乘法器(2)的输入端M1连接；乘法器(2)的输入端M2与忆阻器等效电阻(4)的端子B连接，乘法器(2)的输入端M3与窗函数(5)的输出端Fo连接，乘法器(2)的输出端Mo与积分器(3)的输入端Ii连接；积分器(3)的输出端分别与忆阻器等效电阻(4)的输入端W和窗函数(5)的输入端Fi连接。本发明能很好地模拟忆阻器的“激活”特性，阻值也呈非线性连续变化，其电气特性与HP实验室发现的忆阻器物理模型的电气特性相符。

申请人：武汉科技大学

地址：430081 湖北省武汉市青山区建设一路

国籍：CN

代理机构：武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：张火春

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