包括结型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法[发明专利]
来源：华佗健康网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：包括结型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：马荣耀,李铁生,张磊,傅达平申请号：CN201210422691.5申请日：20121030公开号：CN102916049A公开日：20130206
摘要：公开了一种包括结型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管包括：半导体衬底，具有第一掺杂类型并作为结型场效应晶体管的漏极区；外延层，位于半导体衬底上，具有第一掺杂类型；体区，位于外延层中，具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型是相反的掺杂类型；源极区，位于外延层中，具有第一掺杂类型；以及栅极区，位于体区中，具有第二掺杂类型，其中，所述结型场效应晶体管还包括屏蔽层，屏蔽层具有第二掺杂类型，位于外延层的内部，并且位于源极区和漏极区之间的导电路径中。由于采用屏蔽层，在结型场效应晶体管中产生新的夹断区，从而可以减小夹断电压。
申请人：成都芯源系统有限公司
地址：611731 四川省成都市高新西区出口加工区(西区)科新路8号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：蔡纯
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