MOS晶体管的形成方法
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（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利说明书
（21）申请号 CN201310190312.9 （22）申请日 2013.05.21
（71）申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
（10）申请公布号 CN104183490B
（43）申请公布日 2017.11.28
（72）发明人 韦庆松;于书坤
（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 骆苏华
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
MOS晶体管的形成方法
（57）摘要
一种MOS晶体管的形成方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；在所述第一区域和所述第二区域形成PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的源区和漏区构成锗硅生长区，所述第一区域的锗硅生长区密度小于第二区域的锗硅生长区密度；在所述第一区域形成伪锗硅生长区，使所述第一区域的锗硅生长区总密度增加；刻蚀所述第一区域和所述第二区域的锗硅生长区、以及第一区域的伪锗硅生长区，形成凹槽；在所述凹槽内沉积锗硅材料，形
成PMOS晶体管的嵌入式源区和漏区、以及伪锗硅区。本发明所形成的MOS晶体管良率高，性能好。 法律状态
法律状态公告日
2014-12-03 2014-12-03 2014-12-31 2014-12-31 2017-11-28
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
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说明书
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