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一种用于氮化镓生长的工艺方法

来源:华佗健康网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN201811586320.4 (22)申请日 2018.12.25

(71)申请人 天津市耀宇科技有限公司

地址 300000 天津市东丽区华明高新技术产业区弘晟道2号1号楼502室

(10)申请公布号 CN109686652A

(43)申请公布日 2019.04.26

(72)发明人 赵杰;徐涛 (74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

一种用于氮化镓生长的工艺方法

(57)摘要

本发明公开了一种用于氮化镓生长的工艺

方法,涉及氮化镓生长技术领域,包括以下步骤;步骤1)、预处理;步骤2)、生长。本发明工艺简单,将衬底通过有机溶液擦拭干净后,经酸碱浸泡后利用去离子水冲淋干净再由氮气吹干,有效的优化了衬底表面颗粒及洁净度,退火后的衬底片表面洁净度达到无黑白点,无色差,无手印,无沾污,增加了产品质量,改善了背面不良且容易出现形变的问题,提高了合格率,降低了

成本浪费,采用两次缓冲层,同时将第一缓冲层中的氮极性氮化镓完全升华,留下晶体质量良好的镓极性氮化镓,从而实现高质量氮化镓的生长,增加了产品整体性能,解决了传统缓冲层的晶体质量较差从而导致许多缺陷会穿透缓冲层时问题。

法律状态

法律状态公告日2019-04-26

法律状态信息

公开

法律状态

公开

权利要求说明书

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说明书

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