半导体制造工艺测试方法及装置

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201010268631.3 （22）申请日 2010.09.01

（71）申请人 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号

（10）申请公布号 CN102386115A

（43）申请公布日 2012.03.21

（72）发明人 黄玮

（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司

代理人 常亮

（51）Int.CI

H01L21/66;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

半导体制造工艺测试方法及装置

（57）摘要

本发明公开了一种半导体制造工艺测试方

法及装置。所述方法具体包括：获取样品晶片测试结构在不同光刻工艺条件下和不同刻蚀工艺条件下的条宽、梯形化系数及对称性系数，并存储相应的光刻后测试成像图和刻蚀后测试成像图；从光刻后测试成像图和刻蚀后测试成像图中分别选择符合预设条件的成像图作为相应的标准模板；获取产品晶片测试结构光刻后或刻蚀后的条

宽、梯形化系数和对称性系数，并将上述三个数值分别与相应标准模板中对应的数值进行比对，进而确定所述产品晶片是否需要返工或者报废。通过本发明所提供的测试方法及装置，不仅能测试出待测结构的一维宽度，还能测出其二维轮廓形貌，从而可提高产品的成品率，降低产品的报废率。

法律状态

法律状态公告日2012-03-21 2012-03-21 2012-05-02 2012-05-02 2013-07-03 2013-07-03 2017-12-15

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利申请权、专利权的转移

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利申请权、专利权的转移

权利要求说明书

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说明书

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