一种低频BOSCH深硅刻蚀方法
来源：华佗健康网
（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201410720961.X （22）申请日 2014.12.02 （71）申请人 国家纳米科学中心
地址 100190 北京市海淀区中关村北一条11号
（10）申请公布号 CN104465336A
（43）申请公布日 2015.03.25
（72）发明人 徐丽华;褚卫国
（74）专利代理机构 北京品源专利代理有限公司
代理人 巩克栋
（51）Int.CI
H01L21/027; H01L21/3065; H01L21/308; B81C1/00;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种低频BOSCH深硅刻蚀方法
（57）摘要
本发明提供了一种低频BOSCH深硅刻蚀方
法，该方法将BOSCH工艺和低频LF工艺相结合，采用低频脉冲功率源作为刻蚀工艺的下电极功率输入。该方法包括：紫外光刻胶图形的制备；各向异性刻蚀；各向同性沉积；刻蚀与沉积步骤交
替进行N个周期；去除光刻胶。本发明的低频刻蚀工艺，能稳定地应用于不同图形、不同面积的硅的深刻蚀，能很好地控制刻蚀关键尺寸、陡直度，不宜出现长草现象，具有较高的选择比。
法律状态
法律状态公告日
2015-03-25 2015-04-22 2017-05-17
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
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公开
实质审查的生效 授权
权利要求说明书
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说明书
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