静电放电保护单元及半导体器件[发明专利]

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专利名称：静电放电保护单元及半导体器件专利类型：发明专利发明人：马荣耀,李铁生申请号：CN201210578531.X申请日：20121227公开号：CN103022015A公开日：20130403

摘要：提出了一种静电放电(ESD)保护单元及包含该ESD保护单元的半导体器件。根据本公开的实施例，所述ESD保护单元包括构图的半导体层，该半导体层包含环状的第一部分，其具有外轮廓线和内轮廓线，该外轮廓线和该内轮廓线均为波浪线并且实质上相互平行；该轮廓线和内轮廓线之间的中线也是波浪线，实质上与该外轮廓线和内轮廓线平行，并且该中线上每一点处的曲率均实质上相同。根据本公开实施例的ESD保护单元，由于其所述第一部分可以看作由宽度基本上处处一致的波浪带围成且整体弯曲程度处处一致，因而在该第一部分中沿所述中线的法线方向制作的PN结耐压性能提高，并且PN结的面积增大，有助于提升ESD保护单元的电流处理能力。

申请人：成都芯源系统有限公司

地址：611731 四川省成都市高新西区出口加工区(西区)科新路8号

国籍：CN

代理机构：中科专利商标代理有限责任公司

代理人：倪斌

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