多晶硅电阻及其制造方法[发明专利]
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专利名称：多晶硅电阻及其制造方法专利类型：发明专利发明人：董金珠,胡君
申请号：CN201210297949.3申请日：20120820公开号：CN103633089A公开日：20140312
摘要：本发明公开了一种多晶硅电阻，在硅衬底上形成有场氧化层，多晶硅电阻设置在ＬＤＭＯＳ器件的漏端的场氧化层之上；在宽度方向上，多晶硅电阻的两端分别形成有第一电阻电极和第二电阻电极，漏区的两端的相同宽度位置上分别形成第一漏端电极和第二漏端电极，在使用过程中，第一漏端电极和第一电阻电极所加的电压相同，第二漏端电极和第二电阻电极所加的电压相同。本发明还公开了一种多晶硅电阻的制造方法。本发明能提高多晶硅电阻的工作电压，使多晶硅电阻能在700V或-700V以上的偏压下工作。
申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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