硅晶片及其制造方法[发明专利]
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专利名称：硅晶片及其制造方法专利类型：发明专利发明人：中居克彦,福岛圣申请号：CN200710194066.9申请日：20071130公开号：CN101240447A公开日：20080813
摘要：本发明涉及能够在器件制造过程中抑制滑移位错及翘曲的产生的硅晶片及其制造方法。在包括板状BMD的硅晶片内，存在于距离该硅晶片表面的深度为50μm或更大的位置上的BMD中，对角线长度在10nm至120nm范围内的BMD的密度为1×10/cm或更高，存在于距离该硅晶片表面的深度为50μm或更大的位置上的BMD中，对角线长度为750nm或更大的BMD的密度为1×10/cm或更低，而间隙氧浓度为5×10个原子/cm或更低。
申请人：硅电子股份公司
地址：德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：过晓东
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